文章出处:钧敏科技 责任编辑:钧敏科技 阅读量:- 发表时间:2021-01-11
钧敏科技&尼塞拉Nicera
霍尔元件
原材料: 霍尔元件是由半导体做成的薄膜
器件架构 :4个端子,包括两个输入及两个输出端子
原理: 霍尔效应是由霍尔博士在1879年发现的
灵敏度高、体积小、重量轻、安装方便、价格便宜
锑化铟霍尔元件选型表 | ||||||
名称 | 型号 | 尺寸 | 封装 | 操作温度 ℃ | 输出电压 (Vc=1V,B=50m) | 样片 |
锑化铟 InSb | NHE520F/FR | 2.9*2.9*1.1 | SMD | -40~110 | 163~370mV | |
NHE520FSR | 2.9*3.83*1.1 | SMD | -40~110 | 168~370mV | | |
NHE524 | 2.9*2.9*3.17 | SMD | -40~110 | 168~370mV | | |
NHE528F | 2.1*2.1*0.8 | SMD | -40~110 | 168~370mV | | |
NHE525 | 2.1*3.1*0.8 | SMD | -40~110 | 168~370mV | | |
NHE529 | 2.1*2.7*1.57 | SMD | -40~110 | 168~370mV | | |
NHE312 | 2.8*15.1*1.6 | SMD | -40~110 | 168~370mV | | |
NHE313 | 2.8*15.1*0.9 | SMD | -40~110 | 168~370mV | |
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