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? 内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器
? 内置了死区时间
? 内置直通保护
? 高边和低边驱动器内置欠压锁定
? 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平
? ENB 引脚控制进入到待机模式
? 驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA
? 死区时间：0.5μs(typ.)
? 优秀 dv/dt 共模噪声消除电路
? 具有负瞬态电压忍受能力
? 低 di/dt 栅极驱动特性，更好的 EMI 性能
? 工作温度范围：-40℃ 至 125℃
? 小尺寸封装：TSSOP20L/24L, QFN24
一颗芯片同时集成了三个90V半桥栅极驱动
— PT5619 —
产品说明
PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式.
功能方框图：
典型应用电路：
订购信息：
芯片引脚排布：
芯片特征
? 内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器
? 内置了死区时间
? 内置直通保护
? 高边和低边驱动器内置欠压锁定
? 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平
? ENB 引脚控制进入到待机模式
? 驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA
? 死区时间：0.5μs(typ.)
? 优秀 dv/dt 共模噪声消除电路
? 具有负瞬态电压忍受能力
? 低 di/dt 栅极驱动特性，更好的 EMI 性能
? 工作温度范围：-40℃ 至 125℃
? 小尺寸封装：TSSOP20L/24L, QFN24
产品应用
? 电动车，电动工具应用中三相马达驱动
? 其他电池供电产品中马达驱动
? 其他三相逆变器
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